{"product_id":"samsung-mz-v9s4t0bw-990-1282030","title":"Samsung MZ-V9S4T0 990 EVO Plus SSD Interno 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC colore Nero","description":"\u003cp\u003eIl Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0 è un SSD interno NVMe M.2 da 4 TB con velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB\/s, disponibile nella sezione \u003ca href=\"https:\/\/www.yeppon.it\/collections\/hard-disk-interni\"\u003eHard Disk Interni\u003c\/a\u003e di Yeppon, dove puoi confrontarlo con altri modelli della stessa famiglia.\u003c\/p\u003e \u003ch2\u003eSamsung 990 EVO Plus — SSD NVMe M.2 4 TB\u003c\/h2\u003e \u003ch3\u003eDesign e materiali\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eIl Samsung 990 EVO Plus adotta il fattore di forma M.2 2280, lo standard più diffuso tra i drive NVMe per PC desktop e laptop. Le dimensioni del modulo sono 2,2 cm di larghezza per 8,0 cm di lunghezza, con uno spessore di soli 0,24 cm: una scheda sottile e compatta che si inserisce direttamente nello slot M.2 della scheda madre senza occupare spazio aggiuntivo allinterno del case.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eIl peso del drive è di appena 9 g, il che lo rende uno dei componenti più leggeri installabili in un sistema desktop o in un notebook. Questa leggerezza non è casuale: deriva dalla costruzione a chip NAND montati direttamente sul PCB, senza scocche metalliche esterne o dissipatori integrati di serie, lasciando allutente la libertà di abbinare il proprio dissipatore aftermarket o di affidarsi a quello eventualmente presente sullo slot della scheda madre.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eIl controller è rivestito in nichel, una scelta costruttiva che contribuisce alla gestione termica del componente. Il rivestimento in nichel favorisce la dissipazione del calore generato durante le operazioni intensive, mantenendo le temperature operative entro lintervallo dichiarato di 070 °C. Questo intervallo di temperatura di funzionamento rende il drive adatto sia ad ambienti desktop standard sia a workstation che operano in condizioni di carico prolungato.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLa memoria utilizzata è di tipo V-NAND TLC, la tecnologia flash NAND sviluppata e prodotta direttamente da Samsung. La struttura verticale della V-NAND consente di impilare più strati di celle in uno spazio fisico ridotto, raggiungendo la capacità di 4 TB in un modulo dalle dimensioni contenute. Linterfaccia è PCI Express 4.0, con supporto al protocollo NVMe versione 2.0, che garantisce una comunicazione a bassa latenza tra il drive e il processore. La resistenza agli urti in funzionamento è dichiarata a 1.500 G, un valore che indica una costruzione robusta rispetto alle sollecitazioni meccaniche tipiche delluso quotidiano.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003ePrestazioni e funzionalità\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eIl Samsung 990 EVO Plus da 4 TB offre una velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB\/s e una velocità di scrittura sequenziale fino a 6.300 MB\/s. Questi valori, ottenuti tramite linterfaccia PCI Express 4.0 con protocollo NVMe 2.0, si traducono in tempi di trasferimento sensibilmente ridotti rispetto ai drive SATA o alle generazioni NVMe precedenti: un file da 50 GB viene spostato in pochi secondi anziché in minuti.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLe prestazioni in lettura e scrittura casuale su blocchi da 4 KB raggiungono rispettivamente 1.050.000 IOPS e 1.400.000 IOPS. Questi valori sono rilevanti per i carichi di lavoro che generano molte operazioni di I\/O simultanee, come lavvio del sistema operativo, il caricamento di applicazioni complesse o lelaborazione di database. Un numero elevato di IOPS significa che il drive risponde rapidamente anche quando riceve molte richieste in parallelo, senza creare colli di bottiglia.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLa tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 amplia la zona di cache SLC rispetto alla generazione precedente, con unarea TurboWrite più estesa disponibile proprio nella configurazione da 4 TB. Questo si traduce in scritture sostenute a velocità elevata anche su file di grandi dimensioni, riducendo il calo di prestazioni che si verifica tipicamente quando la cache si esaurisce.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eSul fronte energetico, il consumo in lettura è di 5,5 W e in scrittura di 4,8 W, mentre in modalità inattiva scende a soli 0,06 W. La modalità DevSleep porta il consumo a 5 mW, una funzione utile nei laptop per preservare lautonomia della batteria durante i periodi di inattività. Il controller rivestito in nichel migliora lefficienza energetica del 73% in termini di MB\/s per watt rispetto al modello precedente, garantendo prestazioni elevate con una gestione termica più controllata. La tensione di esercizio è di 3,3 V, standard per i drive M.2 NVMe.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLa sicurezza dei dati è garantita dalla crittografia hardware AES a 256 bit. Il drive supporta inoltre S.M.A.R.T. per il monitoraggio dello stato di salute, TRIM per il mantenimento delle prestazioni nel tempo e DevSleep per la gestione avanzata dellalimentazione. Il software Samsung Magician consente di monitorare lo stato del drive, aggiornare il firmware e migrare i dati in modo semplice.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eEsperienza duso e vantaggi\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eInstallare il Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0 in un PC desktop o in una workstation significa ridurre concretamente i tempi di attesa nelle operazioni quotidiane. Con 7.250 MB\/s in lettura, il sistema operativo si avvia in pochi secondi, le applicazioni si aprono quasi istantaneamente e i file di grandi dimensioni — come progetti video in 4K o archivi compressi — vengono caricati o salvati senza attese percepibili.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLa capacità di 4 TB offre spazio sufficiente per archiviare librerie fotografiche, collezioni di giochi, archivi di progetto e backup locali senza dover ricorrere a drive aggiuntivi. Avere tutto su un unico drive NVMe ad alta velocità semplifica la gestione dei file e mantiene le prestazioni costanti su tutta la capacità disponibile, grazie alla tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 che mantiene elevata la velocità di scrittura anche su volumi di dati consistenti.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003ePer chi utilizza il notebook come strumento di lavoro principale, la modalità DevSleep con un consumo di soli 5 mW durante lo standby contribuisce a prolungare lautonomia della batteria nelle sessioni di lavoro mobile. Il consumo in inattività di 0,06 W è trascurabile anche nelle configurazioni desktop, dove il drive rimane acceso per molte ore consecutive.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLaffidabilità nel lungo periodo è supportata da un MTBF (tempo medio tra guasti) dichiarato di 1.500.000 ore e da una resistenza agli urti in funzionamento di 1.500 G. Il valore TBW (terabyte scritti) di 2.400 TB indica la quantità totale di dati che il drive può scrivere nel corso della sua vita utile: per un utente che scrive 50 GB al giorno, si tratta di oltre 130 anni di utilizzo teorico. Questi numeri indicano un componente progettato per durare nel tempo, adatto sia alluso consumer intensivo sia ad ambienti professionali che richiedono continuità operativa.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eIl supporto al protocollo NVMe 2.0 e allinterfaccia PCIe 4.0 garantisce la compatibilità con le piattaforme più recenti, mentre la crittografia AES a 256 bit protegge i dati sensibili senza impatto sulle prestazioni, grazie allaccelerazione hardware integrata nel controller.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eSupporto clienti: Per informazioni su ordini, spedizioni e pagamenti, visita \u003ca href=\"https:\/\/aiuto.yeppon.it\/hc\/it\"\u003eSupporto Yeppon\u003c\/a\u003e.\u003c\/p\u003e","brand":"SAMSUNG","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":48830720901375,"sku":"MZ-V9S4T0BW","price":1152.91,"currency_code":"EUR","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0816\/6939\/0591\/files\/0a-0a7052cc60ebc6a1f5a204d01a682b74c3e73989_5c4eed75-795f-4a69-ac0c-cb9778a141d7.jpg?v=1784057621","url":"https:\/\/yeppon.scalapay.tech\/products\/samsung-mz-v9s4t0bw-990-1282030","provider":"Yeppon Scalapay","version":"1.0","type":"link"}